无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应 (SCE) 卓越的抑制能力而被关注, 自热效应 (SHE)作为影响其电热性能的关键问题而被广泛研究。文章基于TCAD数值仿真, 通过对环境温度(TA)、接触热阻(Rtc)以及侧墙长度(LS)对体传导的JLNT-FET和表面传导的IMNT-FET的最大晶格温度(TLmax)、最大载流子温度(TCmax)、漏极电流(IDS)和栅极泄漏电流(IG)等器件参数影响的分析, 对比研究了JLNT-FET和IMNT-FET中传导机制对电热特性的影响。结果表明, 较高的TA、较大的Rtc及较小的LS, 都会加剧器件的声子散射, 导致严重的SHE。同时, 由于传导机制的差异, 体传导受界面散射和声子散射影响较小, JLNT-FET具有更好的电热特性。

为将单根纳米线成功组装至微电极两端, 在介电泳力的基础上附加考虑粘滞阻力及布朗力的影响, 建立了单根纳米线受力及运动模型, 通过数值仿真得到纳米线在三维空间中的运行轨迹, 并基于可控介电泳工作区模型(DWS-DEP)获得了可实现准确跨接的初始点分布区。为选择合适的电极组装单根纳米线, 对三种不同尖端弧度的电极稳态区进行仿真, 结果显示圆弧状电极更易实现一维纳米结构的跨接组装。利用所设计的Ti/Au电极进行纳米线介电泳组装实验, 得到了与仿真相一致的结果。

Repetition rate-dependent absorbance measurements of synthetic fused silica at 193-nm irradiation are performed in the range of 50–1 000 Hz with an ArF laser calorimeter. The "apparent" single- and twophoton absorption coefficients are determined by measuring the laser fluence-dependent absorbance of fused silica samples with different thicknesses to separate the surface absorption and bulk absorption. The measurement results indicate a reversible nonlinear increase of both apparent single- and two-photon absorption coefficients with increasing repetition rate for the synthetic fused silica, whereas the surface absorption shows no dependence on the repetition rate.

反卷积方法是提高光谱仪分辨率的重要手段。采用空域迭代反卷积和频域维纳滤波对多纵模激光器光谱进行数据仿真，并在不同光谱仪采样率条件下，比较了迭代反卷积和维纳滤波结果。仿真结果表明，迭代反卷积和维纳滤波可以有效消除光谱仪仪器响应函数引起的光谱展宽，提高光谱仪分辨率。在光谱仪采样率低的情况下，迭代反卷积的分辨率增强效果优于维纳滤波。随着采样率的增加，维纳滤波的误差小于迭代反卷积。实验分别测量了单纵模和多纵模632.8 nm He-Ne激光器光谱，并对测量结果进行反卷积处理。结果表明，低分辨率光谱仪测量的激光器光谱经反卷积处理后与高分辨率光谱仪直接测量结果一致。